Разработки наноцентра Мордовии представлены на выставке электронной промышленности «SEMICON Russia»

19 Июня 2015

Центр нанотехнологий и наноматериалов Республики Мордовия (ЦНН РМ) представил разработки своих проектных компаний на крупнейшей в России международной выставке электроники «SEMICON Russia-2015», прошедшей в Москве на этой неделе.

«В рамках презентации наших разработок сотрудники ЦНН РМ провели встречи со стратегическими инвесторами и бизнес-ангелами, а также другими заинтересованными и связанными с развитием инноваций в электронике участниками рынка. Участие в выставке столь высокого уровня подтвердило то, что что разработки нашего наноцентра вызывают большой интерес у рынка инноваций в этой области. Кроме того, это возможность выйти на заинтересованные в нашей продукции компании, получить дополнительное финансирование, ну и конечно это хорошая возможность заявить об инновациях из Мордовии на международной арене», — сообщил генеральный директор ЦНН РМ Дмитрий Крахин.

                                              4E1DB479-458B-4AF5-AFB4-F01113BAF543.jpg

Проектная компания ЦНН РМ — ООО «Инвертор НЕКСТ» представила на выставке инвертор - прибор, преобразующий низковольтажное напряжение от альтернативных источников электроэнергии (например, солнечных панелей) в бытовое напряжение. Этот инновационный инвертор в 4-5 раз меньше по весу и размерам по сравнению с ныне существующими аналогами. Такого улучшения в приборе удалось достичь благодаря применению карбидокремниевых (SiC) элементов вместо традиционных кремниевых составляющих.

                                               06.jpg

Представители промышленности подтвердили спрос на подобные решения, особенно в нефтегазовой отрасли, где требуется целый спектр аналогичных преобразовательных приборов с их рекордными показателями КПД и надежности, выдерживающие высокие температуры свыше 200 градусов.

Кроме того, участники выставки из Франции, Китая и Германии из сферы карбидокремниевого силового производства выразили намерение начать сотрудничество для ускорения их выпуска в России или проведения технологических консультаций.

Также на выставке был представлен проект по созданию производства надежных, точных и быстродействующих датчиков температуры (z-сенсоров). Отличительная особенность этой разработки ЦНН РМ заключается в том, что, при своих малых габаритах и многофункциональности, параметры выходных характеристик z-сенсоров значительно превосходят выходные характеристики известных датчиков температуры. Уникальность свойств z-сенсоров обусловлена открытым в них физическим явлением управляемой скачковой проводимости также известной как «Z-эффект».

                                          DSC_3622.JPG

Разработки ЦНН РМ помогут используемым их компаниям получать гораздо более высокий результат на выходе, а также дадут дополнительное конкурентное преимущество технике российского производства, в которой они будут применяться.


Любую дополнительную информацию можно получить в офисе наноцентра по телефону 33 30 63 или на нашем официальном сайте www.cnnrm.ru


Возврат к списку